GaAs субстрат
Описание
Галиевият арсенид (GaAs) е важен и зрял съставен полупроводник от група III-Ⅴ, който се използва широко в областта на оптоелектрониката и микроелектрониката.GaAs се разделя главно на две категории: полуизолиращ GaAs и N-тип GaAs.Полуизолационният GaAs се използва главно за направата на интегрални схеми с MESFET, HEMT и HBT структури, които се използват в радарни, микровълнови и милиметрови комуникации, свръхвисокоскоростни компютри и комуникации с оптични влакна.N-тип GaAs се използва главно в LD, LED, близки инфрачервени лазери, високомощни лазери с квантова яма и високоефективни слънчеви клетки.
Имоти
| Кристал | Допингиран | Тип проводимост | Концентрация на потоците cm-3 | Плътност cm-2 | Метод на растеж |
| GaAs | Нито един | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Дефиниция на GaAs субстрат
Субстратът GaAs се отнася до субстрат, направен от кристален материал галиев арсенид (GaAs).GaAs е съставен полупроводник, съставен от елементи галий (Ga) и арсен (As).
GaAs субстратите често се използват в областта на електрониката и оптоелектрониката поради техните отлични свойства.Някои ключови свойства на GaAs субстратите включват:
1. Висока подвижност на електрони: GaAs има по-висока подвижност на електрони в сравнение с други обикновени полупроводникови материали като силиций (Si).Тази характеристика прави GaAs субстрата подходящ за високочестотно електронно оборудване с висока мощност.
2. Директна забранена лента: GaAs има директна забранена лента, което означава, че може да възникне ефективно излъчване на светлина, когато електроните и дупките се рекомбинират.Тази характеристика прави GaAs субстратите идеални за оптоелектронни приложения като диоди, излъчващи светлина (LED) и лазери.
3. Широка ширина на лентата: GaAs има по-широка ширина на лентата от силиция, което му позволява да работи при по-високи температури.Това свойство позволява на устройствата, базирани на GaAs, да работят по-ефективно в среди с висока температура.
4. Нисък шум: GaAs субстратите показват ниски нива на шум, което ги прави подходящи за нискошумни усилватели и други чувствителни електронни приложения.
GaAs субстратите се използват широко в електронни и оптоелектронни устройства, включително високоскоростни транзистори, микровълнови интегрални схеми (IC), фотоволтаични клетки, фотонни детектори и слънчеви клетки.
Тези субстрати могат да бъдат приготвени с помощта на различни техники като металоорганично химическо отлагане на пари (MOCVD), епитаксия с молекулярни лъчи (MBE) или епитаксия в течна фаза (LPE).Използваният специфичен метод на растеж зависи от желаното приложение и изискванията за качество на GaAs субстрата.
